23. децембра, истраживачка група са Одељења за инжењерство нових материјала на Технолошком универзитету Поханг објавила је да су произвели нови тип ЛЕД елемента који емитује дубоко ултраљубичасто светло на основу сендвич структуре слојева графена и хексагоналног бор нитрида (хБН) слојева. . Истраживачки тим је објаснио да су до сада уређаји који емитују дубоке ултраљубичасте зраке углавном користили компоненте направљене од живе или алуминијум галијум нитрида, али ове традиционалне компоненте имају проблема са загађењем или светлосном ефикасношћу. Резултати истраживања су недавно објављени у светски{1}}познатом академском часопису Натуре Цоммуницатионс.
▲ h-BN deep ultraviolet LED. Schematic showing strong deep ultraviolet emission using graphene, h-BN, and van der Waals heteronanomaterials with graphene structures (C)
Према Технолошком универзитету Поханг, главни материјал који се тренутно користи у истраживању дубоких ултраљубичастих ЛЕД диода је алуминијум галијум нитрид (у даљем тексту АлкГа1-кН). Међутим, овај материјал има основно ограничење да се његова луминисцентна својства брзо погоршавају како таласна дужина постаје краћа.
In order to break through this limitation, POSTECH uses h-BN as a device material, whose single-atom layer structure is similar to graphene and its appearance is transparent, so it is also called "white graphene".
Пријављено је да, за разлику од АлкГа1-кН, емитује јако светло у дубоком ултраљубичастом региону и сматра се новим материјалом који се може користити за развој ЛЕД диода са дубоким ултраљубичастим зрачењем. Међутим, због великог јаза у појасу, тешко је убризгати електроне и рупе, па се ЛЕД диоде не могу направити. Али ако се на х-БН нанофилм примени јак напон, електрони и рупе се могу убризгати кроз ефекат тунела. Због тога су произведени ЛЕД уређаји засновани на слагању ван дер Валсових хетерогених наноматеријала са графеном, х-БН и графеном, а дубинском УВ спектроскопијом је потврђено да стварни уређај емитује јако УВ светло.
Professor Jin Zhonghuan from the Department of Materials Science and Engineering of the university said: "The development of new high-efficiency LED materials in a new wavelength range can be a starting point for the application of optical devices. The significance of this research on h-BN lies in the realization of deep ultraviolet LED manufacturing. .
In addition, compared with the existing AlxGa1-xN material, it has significantly higher luminous efficiency, and the device can be miniaturized. "
